Des scientifiques découvrent un moyen de « faire pousser » des transistors de taille inférieure au nanomètre
Une équipe de recherche a mis en œuvre une nouvelle méthode pour réaliser la croissance épitaxiale de matériaux métalliques 1D d’une largeur inférieure à 1 nm. Le groupe a appliqué ce processus pour développer une nouvelle structure pour les circuits logiques à semi-conducteurs 2D. Ils ont notamment utilisé les métaux 1D comme électrode de grille du transistor ultra-miniaturisé.
